理工学研究科 电気工学専攻 博士前期課程2年 小川健太さん（ 半導体ナノテクノロジー研究室 指導教員：小椋厚志教授）が、The 2025 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF2025)でYoung Researcher Awardを受赏しました。
IWDTFは応用物理学会が主催し毎年开催されている国际ワークショップで、本年は11月5日から7日にかけて仙台市の戦灾復兴记念馆で国内外から约120-30名の参加者を得て盛大に开催されました。今回の栄誉は59件の発表论文からの受赏です。
受赏论文题目は“Effects of Interface Formation Process on Tunneling Current Components of N-type Ti0.3Zn0.7O1.3/P-type Si Stack Structure”
着者はKenta Ogawa, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata
内容は次世代高性能半导体ロジックデバイスの実现に向けた基础研究です。
なお、本研究は连携大学院协定に基づく本学と物质材料研究机构との共同研究の成果で、长田先生は本学の客员教授です。
